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焦點事件：台積電重金投資EUV設備，2奈米製程明年量產！
焦點個股：台積電的重要夥伴，家登(3680)營運進入爆發期！
焦點事件：台積電重金買EUV衝刺先進製程！
台積電的2奈米先進製程預計會在2025年量產，由於先進製程的晶片生產流程更複雜，光刻製程要求的精度更高，因此，在3奈米以下的先進製程中，EUV(極紫外線曝光機)就會更重要。
由於蘋果(Apple)全新一代iPhone16的處理器晶片將會全數改用台積電的3奈米製程，將會為台積電的先進製程提供成長動能，對此，台積電將需要更多的EUV機台來滿足產能需求。
艾司摩爾(ASML)預計將在2024、2025年交付65台EUV設備給台積電，設備總金額將超過4000億元，台積電大量採購EUV，除了將帶旺艾司摩爾的營收表現外，更將讓台股的EUV POD(光罩運送盒)供應商家登(3680)因此受惠。
下面將會介紹半導體的光刻製程流程，透過下文，能更容易理解為何EUV設備進入出貨高峰，對家登營運會有顯著正向影響。
光刻製程流程介紹
在半導體製程中，首先會先由IC設計公司設計電路圖，然後由光罩公司製作光罩，光罩簡單理解的話，就是一塊帶有電路設計圖的玻璃遮光板，透過光刻機及光罩，就能在晶圓上繪製出設計好的電路圖，完成晶圓的光刻製程，光刻製程分為刻蝕流程以及沉積流程，兩者不同在於工法順序。
刻蝕製程順序：
- 會先在晶圓上塗上光刻膠(受到光照後會被溶解)及薄膜(成分通常是二氧化矽)。
- 透過光刻機打光穿過光罩照射晶圓。因為光罩如我們前面所說，是一塊帶有電路設計圖的遮光板，因此，透光的部分後續會透過顯影液融化光刻膠，此時沒有被溶解的光刻膠會形成一層保護膜。
- 將沒有光刻膠保護的薄膜，透過化學藥劑腐蝕，最後再把光刻膠清除，就能完成晶片刻蝕流程。
前面看完蝕刻製程的流程後，我們能理解光刻機及光罩在晶圓製造的重要性，因為全球最大的光刻機設備供應商為艾司摩爾(ASML)，因此在此處不會太多討論，但隨著半導體製程持續微縮，電路設計圖會變得更複雜，光罩層數需求也會出現顯著提升，因此，台股相關供應鏈機會將會出現在光罩製造商以及光罩的運輸設備。
光罩製造部份，台積電自己本身就能生產，因此可以預期先進製程所需要的光罩多數都還是會由台積電供應，而光罩運輸設備方面，因為光罩層數需求上升，將連帶提升運送設備需求，因此，CMoney研究團隊看好全球EUV POD(光罩運送盒)供應鏈龍頭家登將是主要受惠廠商。
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