Navitas Semiconductor獲美國陸軍委託開發新型碳化矽技術，股價隨之上漲超過17%。

Navitas Semiconductor(NVTS)於週一宣佈，公司已被美國聯邦政府選中，參與開發下一代碳化矽（SiC）技術。此次合作是透過ALATTIS計畫（加速、大面積、10 kV SiC IGBT），目標在於建立國內製造流程，以生產超高壓的碳化矽功率半導體裝置。

Navitas執行長Siddarth Sundaresan表示：「ALATTIS獎勵標誌著推進超高壓碳化矽功率裝置的重要里程碑，並確認了Navitas在提供可靠的超高壓、高功率SiC技術方面超過20年的創新歷程。」該計畫將使Navitas能夠拓展其在SiC MOSFET領域的領導地位，並開發基於專利的TAP架構和先進PiN二極體技術的下一代10 kV SiC IGBTs。

受此訊息影響，Navitas的股價在延後交易中飆升超過17%。這項成就不僅鞏固了Navitas在市場上的競爭力，也顯示出對未來清潔能源解決方案的承諾。隨著全球對高效能電力元件需求的不斷增長，Navitas的創新技術可能會為公司帶來更大的商機及財務回報。

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