AI「記憶體大戰」升溫!SK Hynix砸3.8兆台幣擴產,高頻寬記憶體恐缺到2028年

CMoney 研究員

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  • 2026-08-07 18:15
  • 更新:2026-08-07 18:15

AI「記憶體大戰」升溫!SK Hynix砸3.8兆台幣擴產,高頻寬記憶體恐缺到2028年

韓國記憶體大廠SK Hynix宣佈投資54兆韓圜,在Yongin與Cheongju新建兩座晶圓廠,主攻AI關鍵的HBM與DRAM、NAND。市場研調預估,儘管三星、Micron等同步擴產,AI需求仍將壓過供給,記憶體價格不易在2028年前明顯回落,勢將牽動Nvidia(NVDA)、Microsoft(MSFT)等AI巨頭成本結構與供應鏈版圖。

在全球搶攻人工智慧(AI)商機的戰場上,記憶體正成為新一輪軍備競賽的核心。南韓記憶體大廠SK Hynix(SK海力士,SK Hynix Inc.)日前宣布,將砸下高達54兆韓圜、約38.1億美元的大手筆,在國內新建兩座晶圓廠,全面強化用於AI運算的高頻寬記憶體(HBM)與動態隨機存取記憶體(DRAM)、以及快閃記憶體(NAND)的供應能力,劍指未來數年的AI浪潮。

AI「記憶體大戰」升溫!SK Hynix砸3.8兆台幣擴產,高頻寬記憶體恐缺到2028年

這波投資案分成兩大基地,分別是位於Yongin的「Y2」廠與Cheongju的「M17」廠。SK Hynix表示,將在Yongin投入35.2兆韓圜,打造第二座DRAM生產據點,並將其納入先前公布的Yongin Semiconductor Cluster(龍仁半導體聚落)整體藍圖之中;另一邊則斥資19.1兆韓圜於Cheongju興建M17廠,鎖定NAND產品,因應公司口中的「需求快速竄升」。兩地同步開展,顯示業者已不再只是拚技術,而是進入「誰能在關鍵時間點拿出足夠產能」的供給戰。

從時程來看,這波擴產並非短期救火,而是押注2029年以後的長線需求。Yongin Y2預定於2027年7月動工,首座無塵室(cleanroom)將於2029年6月啟用,主要生產HBM與其他次世代DRAM產品。Cheongju M17則規劃在2027年2月破土,第一座無塵室預計2028年12月開出,專攻NAND記憶體。SK Hynix強調,在AI時代,僅靠技術力已不足以取得優勢,「能在客戶需要的正確時間,供應足夠的數量,才是終極競爭力」,此番表態明顯鎖定大型雲端與AI平台客戶。

這次投資被視為SK Hynix去年公開「master plan」的下一階段。依該計畫,公司將在Yongin半導體聚落累計投入600兆韓圜,並於Cheongju擴產再砸100兆韓圜。如今新案落地,顯示SK Hynix在全球記憶體板塊中,企圖與Samsung Electronics(三星電子)及Micron Technology(美光科技)等對手拉開新一輪差距,尤其是在高利潤的HBM與高階DRAM市場。

然而,競爭對手並未袖手旁觀。根據市調機構Counterpoint Research的最新報告,Samsung已在今年第二季重新拿回全球DRAM市佔第一的寶座,令SK Hynix面臨更大壓力。該機構副總裁Neil Shah指出,三星市佔回升,已迫使SK Hynix必須加碼資本支出(capex),擴大生產佈局;他並直言,Yongin與Cheongju的新廠「在短期內不會改變SK Hynix的實際產出,而是為2029年以後做準備」,凸顯整個產業已在超前部署未來需求。

值得注意的是,這並非單一企業的孤軍行動。Counterpoint Research預估,從現在起到2028年,Samsung、SK Hynix、Micron與中國廠商CXMT等多家業者都將同步擴產,全球記憶體供給量將大幅增加。照理說,供給增加應該壓抑價格,但Shah分析,AI伺服器、資料中心以及各類AI加速器對HBM與高階DRAM的渴求,成長速度將超越各家已規劃的產能,因此「記憶體價格在2028年底前都不太可能明顯回落」。這種「需求跑在供給前面」的局勢,形成記憶體廠股價一再飆漲的底層邏輯。

近期,高頻寬記憶體的供應吃緊,已直接影響到上游AI晶片與下游雲端服務的發展節奏。以Nvidia(NVDA)為例,其AI加速卡需要大量HBM才能充分發揮效能,而微軟Microsoft(MSFT)、Amazon(亞馬遜,Amazon.com Inc.)等雲端巨頭的資料中心升級計畫,同樣仰賴穩定的DRAM與NAND貨源。市場普遍認為,一旦記憶體產能無法及時放量,AI伺服器的交期、成本與售價都恐受到牽動,進而影響整體AI投資回報率。

從產業結構來看,這波記憶體擴產浪潮有利也有弊。一方面,長期供給增加有助緩解過去幾年因供應緊張造成的價格劇烈波動,讓雲端與AI業者在規劃中長期投資時更具可預測性;另一方面,多家廠商同步砸下千億級資本支出,若未來AI需求增速不如預期或出現技術路線變化,產能過剩與價格崩跌的風險仍不容忽視。特別是在NAND領域,雖然SK Hynix口中目前需求「快速竄升」,但過去也多次出現景氣反轉導致價格暴跌的歷史教訓。

綜合來看,SK Hynix這次大規模投資,象徵記憶體產業正式從「製程競賽」升級為「產能與時點競賽」:不只是誰的技術領先,而是誰能在2028到2030年這波AI基礎建設黃金期中,準時端出大量HBM、DRAM與NAND。未來幾年,隨著Yongin Y2與Cheongju M17陸續完工,全球記憶體供應版圖勢必洗牌。對投資人與科技業者而言,真正的關鍵在於:AI需求曲線能否持續支撐這些天量資本支出,或是在某個時間點出現「虛火」回落,讓這場記憶體軍備競賽成為下一次產業循環的導火線。這個答案,恐怕要等到2028年後,才會逐漸明朗。

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