華邦電4月EPS達1.66元 稅後淨利年增逾216倍

華邦電(2344)公布4月自結歸屬母公司稅後淨利74.88億元，年增21,608%，每股獲利1.66元，已達第1季獲利74%。法人指出，短線記憶體供需結構仍有利報價維持高檔，對華邦電後續營運形成支撐。

CUBE架構與矽電容合作動向

華邦電CUBE架構整合DRAM、矽中介層與矽電容進行2.5D/3D先進封裝。市場傳出三星電機正與華邦電洽談矽電容合作，雖然每片晶圓單價低於DRAM，但營收占比取決於客戶需求與記憶體廠策略。

AI需求推升利基型記憶體價格

AI需求帶動高容量高效能記憶體訂單，短期供給收縮使利基型DRAM與NAND價格上漲。華邦電客戶主動洽談長期合作，Flash需求同步回溫，市場估計華邦電今年EPS約19.6元。

美光擴產對亞洲產能影響

美光宣布維吉尼亞州廠1α DRAM將於2026年底投產，該廠為既有產線現代化升級而非新建，可能同步縮減台灣等亞洲DDR4產能，有助全球DDR4供給減少，維持報價高檔。

華邦電(2344)：近期基本面、籌碼面與技術面表現

基本面亮點

華邦電為全球最大NOR Flash供應商，營業項目涵蓋積體電路、半導體記憶體零組件及其系統產品。2026年總市值7,560億元，本益比8.7倍。4月月營收192.45億元，年成長182.22%，連續多月創歷史新高；3月營收145.01億元，年增91.49%。

籌碼與法人觀察

6月1日外資賣超6,768張，投信買超5,952張，三大法人合計買超146張，收盤價168元。近五日主力買賣超5.9%，近20日主力買賣超6.2%。5月29日三大法人大幅買超71,837張，顯示法人近期操作頻繁。

技術面重點

截至4月30日，華邦電近60日股價自低點89.80元上漲至168元，短期均線呈現多頭排列。4月30日成交量116,065張，高於近期部分交易日。4月30日收89.80元，短線需留意量能續航與乖離過大風險。

後續觀察重點

投資人可持續追蹤月營收表現、利基型DRAM報價走勢，以及華邦電CUBE架構相關合作進度。

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