三星電子與輝達合作,推進新一代HBM4晶片供應

權知道

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  • 2025-11-01 18:33
  • 更新:2025-11-01 18:33
三星電子與輝達合作,推進新一代HBM4晶片供應

三星電子近日宣布,正與輝達(NVDA)進行密切討論,計畫供應其新一代高頻寬記憶體(HBM)晶片,即HBM4。這一舉措顯示出三星在人工智慧(AI)晶片競賽中努力追趕對手的決心。儘管三星尚未明確表示何時將推出這款最新版本的HBM晶片,但預計將於明年進行市場推廣。

SK海力士成為主要競爭對手

三星的本地競爭對手SK海力士,作為輝達的主要HBM晶片供應商,已於本週三表示,計畫在第四季開始出貨其最新的HBM4晶片,並於明年擴大銷售。輝達在宣布與三星及其他韓國公司的合作聲明中提到,正在進行HBM3E和HBM4的關鍵供應合作,但未進一步說明細節。

三星記憶體晶片業務面臨挑戰

由於未能及時把握AI驅動的記憶體晶片熱潮,三星的收益表現相對較弱,去年甚至對其晶片部門進行了重組。然而,本季度三星的收益有所回升,主要受傳統記憶體晶片需求的推動。三星本週表示,其現有的HBM3E晶片已供應給「所有相關客戶」,顯示其已加入競爭行列,向輝達提供最新的12層HBM3E晶片。

HBM4晶片對三星的市場地位至關重要

HBM晶片,即高頻寬記憶體,是一種動態隨機存取記憶體(DRAM)標準,最早於2013年生產。其技術特點在於垂直堆疊晶片,以節省空間和降低功耗,這對於處理複雜AI應用所產生的大量數據至關重要。分析師指出,HBM4晶片的推出將是三星重新奪回市場優勢的一次重大考驗。

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