矽晶圓龍頭 環球晶(6488):五年ROE達30%,本益比僅13倍,2025年將呈V型成長

股人阿勳

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  • 2024-09-21 19:24
  • 更新:2024-09-21 19:24

矽晶圓龍頭 環球晶(6488):五年ROE達30%,本益比僅13倍,2025年將呈V型成長

五年 ROE 達 30%,本益比僅 13 倍

       本篇的追蹤個股是台灣第一大矽晶圓廠 "環球晶 (6488)" ,公司為全球第三大晶圓供應商,出貨佔世界矽晶圓製造商之 15~20%,半導體晶圓產業因資本與技術高度密集,對於其他競爭者而言有相當難度之進入門檻,雖然大家都說目前台股很貴,但環球晶當前本益比僅 13 倍,五年 ROE 達 30 %,顯然市場上仍有不少價值股等待我們挖掘。

       第一次寫它是在 2023/06,期間雖然最高曾漲到 630 元,但 2023H2 起,半導體產業動能受客戶調節存貨及終端需求不明確等因素影響相對減弱,股價也掉回 480 元左右。

矽晶圓龍頭 環球晶(6488):五年ROE達30%,本益比僅13倍,2025年將呈V型成長

 

董事長 : 2025 年將呈 V 型成長,第三代半導體僅成長 50%!?

       雖然公司目前正處於半導體產業周期的低點,但董事長徐秀蘭指出,2025 年將呈V型(V-shape)成長,主要原因是 AI 應用不停歇,將推升矽晶圓用量,加上手機、車用及工業領域需求回升,她樂觀期待新一波景氣循環的來臨。

       徐秀蘭指出,從大環境觀之,美國聯準會將降息、歐美各國總統即將選舉,待不確定性告一段落,各大經濟體有望重新討論電動車政策,消費性電子需求復甦,加上 AI 應用擴大,以及換機潮等,均有利於矽晶圓用量增加。整體而言,下半年營運會優於上半年,2025 年預期在客戶庫次去化完畢,以及需求回升帶動下,該公司營運會顯著成長,並再迎來新一波長約(LTA)簽訂需求。

       在第三代半導體部分,徐秀蘭表示,環球晶 2023 年碳化矽(SiC)業績成長十倍,原本看好 2024 年業績可望再成長二至三倍,不過,因電動車市場需求疲弱,加上中國大陸同業的新產能開出,產品價格面臨下滑壓力,現在預估 2024 年矽化矽業績增幅將約 50%,但根據 Research And Markets 的機構研究報告指出,全球碳化矽市場 2023 年至 2030 年的複合年增長率為19.1%,未來產業趨勢仍相當明確。

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矽晶圓龍頭 環球晶(6488):五年ROE達30%,本益比僅13倍,2025年將呈V型成長

環球晶 (6488)

矽晶圓製造 = 半導體軍火庫

    公司是於 2011 年 10 月 18 日由中美晶的半導體部門分割成立,可提供長晶、切片、研磨、拋光、退火、磊晶等矽晶圓產品服務。

      這幾年來,環球晶透過併購成長方式,取得產能、技術、客戶及材料採購之議價能力,也整合美、日半導體 IDM 管理經驗的跨國團隊,成為全球第三大矽晶圓供貨商,國內最大 3~12 吋半導體矽晶圓材料商。

     矽晶圓為目前製作積體電路之基底材料,可說是所有 IC 製造商的軍火庫,其原始材料「矽」,是地殼表面取之不盡、用之不竭的二氧化矽礦石,經由電弧爐提煉、鹽酸氯化及蒸餾處理後,製成高純度的多晶矽,其純度要求達 99.999999999%。

     矽晶圓製造廠將此多晶矽加熱融解,並於熔融液摻入一小粒的矽晶體晶種,將其緩慢地拉出成形,讓多晶矽被拉成不同直徑大小的單晶矽晶棒,因矽晶棒是由一顆小晶粒在熔融態的矽原料中逐漸生成,此過程稱為「長晶」。

     矽晶棒再經過切割、研磨、拋光、切片等加工製程,即可成為積體電路產業之重要原料-「矽晶圓」。每塊數英吋直徑大小的空白矽晶圓,經過複雜的化學和電子製程後,可佈設多層精細的電子電路,而依面積大小有 3 吋、4 吋、5 吋、6 吋、8 吋及 12 吋(直徑)等規格之分,這些矽晶圓經送至晶圓廠內製造晶片電路後,再經切割、測試、封裝等程序,即成為市面上一顆顆的 IC。 

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主要產品

矽晶圓製造 100%

      公司主要經營項目為矽晶材料的製造與銷售,半導體晶片占比 達 99.2%,產品有磊晶晶圓、拋光晶圓、浸蝕晶圓、超薄晶圓及深擴散晶圓等,應用範圍從整流器到電源管理及驅動IC、車用功率與感測器IC、資通訊、MEMS等利基型市場。

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矽晶棒

     為矽元素在特定的晶向上做排列而形成 ,利用摻雜技術可以決定矽單晶棒的種類以及相對應的電阻。

粗晶片、平晶片、浸蝕晶片

     粗晶片是由晶棒晶切割後產生的晶片,經研磨而成的晶片為平晶片,可減少粗晶片的粗糙度及機械損傷,以及改善幾何特性,最後將晶片經由酸蝕或鹼蝕製程成為浸蝕晶片。

擴散片

      將不同特性物質以熱處理的方式由晶片表面擴散到指定深度與濃度。

深擴散片

      提供深度介於 100 微米至 210 微米的擴散層,可針對客戶的不同電壓需求進行客製化。

拋光片

      單面或雙面被拋光成具有原子級平坦度的矽晶片,用於電力功率控制器及IC。

磊晶片

      再拋光片上長一層無瑕疵的單晶矽薄膜,用來作為元件層。

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營運產生據點

生產基地遍布全球,歐美擴廠皆獲當地政府補助

     公司生產基地位於新竹、竹南、日本、韓國、大陸昆山、馬來西亞、新加坡、美國、義大利、丹麥。順應全球保護主義與在地製造的趨勢,公司也積極在國際擴廠布局,並取得當地政府的支持與補助。

     公司前往美國廠設廠,獲得當地政府最高 4 億美元補助,建立暌違 20 多年來首座擁有一貫製程的 12 吋矽晶圓廠,以及全美唯一的 12 吋SOI晶圓生產基地,以填補美國半導體供應鏈的重要缺口,並降低對進口晶圓之依賴。

     此外,公司義大利廠也取得最高 1.03 億歐元補助,打造歐洲最先進的 12 吋半導體晶圓廠,以解決歐洲供應鏈長期以來在先進技術平台上,高度仰賴進口晶圓之問題。

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銷售地區

亞洲站比達 6成6

     2023 年銷售區域比重:台灣 19.7%、亞洲 46.7%、美洲 12.6%、歐洲 20.4%。公司客戶包含Intel、SAMSUNG、NXP、Micron、Infineon、STMicroelectronics、Texas Instruments、台積電、聯電、世界、GlobalFoundries 等知名半導體廠。 

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