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「這一家」公司年後股價暴漲 23%!所處產業也是不容忽視的 5G 概念股!

3月 2019年8
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(圖片來源:shutterstock)

 

前言

世界行動通訊大會( Mobile World Congress, MWC )

上周在西班牙巴塞隆納如火如荼地進行了四天的展期

MWC 是在通訊領域最具指標性的展覽會

在展覽中常可以一覽通訊產業的最新趨勢

 

今年一共有來自世界各地的 2,400 多家公司參展

除了令人驚豔的柔性屏幕、折疊式手機外

不少手機廠也在今年正式展出 5G 手機

包括小米、三星、 LG 、華為

預計最快今年中便會正式開賣

也讓令人期待多年的 5G 技術慢慢成為現實

 

而在這些光鮮亮麗的手機廠商、5G 應用背後

有一個產業扮演著不可或缺的角色

甚至對其產品的需求

在通訊速度越來越快、

連接裝置越來越多的趨勢中

變得日益擴大

這就是我們今天想介紹的砷化鎵( GaAs )產業

 

以下本文將分成五大部分:

作為半導體材料,砷化鎵適合用在光電、通訊領域

砷化鎵的簡易製程介紹

砷化鎵產業鏈:台灣廠商分工明確,佔有中上游到下游

台灣磊晶片廠商獲利能力比較:IET-KY、聯亞、全新】

【讓你帶走的結論】

 

讓我們繼續看下去…

 

【CMoney 產業研究中心】新開張

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以下正文繼續…

 

作為半導體材料,砷化鎵適合用在光電、通訊領域

砷化鎵是三五族半導體的一種

那到底什麼是三五族半導體呢?

三族、五族指的其實是元素週期表上的 3A 族、 5A 族

因此包含著以下這些元素

3A 族:硼( B )、鋁( Al )、鎵( Ga )、銦( In )、鉈( Tl )

5A 族:氮( N )、磷( P )、砷( As )、銻( Sb )、鉍( Bi )

 

此外

從表中我們也可以看到

耳熟能詳的矽( Si )、鍺( Ge )是位在 4A 族

由矽這一種單一元素晶圓材料構成的半導體

我們稱之為元素半導體

矽作為最具影響力的半導體材料

至今已廣受電子業界利用

 

然而其即便用途廣

對有些需求火燙的應用來說

以矽作為材料卻不見得有最佳的效果

像是在以矽製成的高頻晶片中

容易有較高的雜訊干擾

而在通訊中

顯然人們希望的是較少的雜訊

所以便會尋找可以避免矽的這些缺點的材料

正因如此

本文提到的砷化鎵產業才躍上檯面
 

砷化鎵的部分物理特性優於矽

當我們把 3A 族、5A 族元素混合在一起

成為化合物後

即像矽一樣成為一種半導體材料

我們稱之為化合物半導體

 

以砷化鎵這種化合物半導體來說

相較矽而言

具有像是電子遷移率快、使用頻率範圍大

以及耐高溫、直接能隙、抗輻射等特性

而某些領域就十分青睞這些特性

例如通訊產業( 手機射頻、WLAN )

 

砷化鎵的簡易製程介紹

在我們開始介紹台灣的相關公司前

需要先讓大家快速地認識一下砷化鎵的製程

雖然其並不是單純使用矽這種元素半導體

但實際上產業結構與矽晶圓產業相似

 

砷化鎵的簡略製作流程與矽類似

關鍵差在基板材料及希望生成何種磊晶

大致上

砷化鎵產品的製作

是由一片單晶基板開始

( 不同於非晶或多晶,單晶是指構成基板的原子以一種重複模式排列成形 )

接著藉由不同的方式來讓基板上「生長」出另一層單晶薄膜

這樣的技術我們稱之為磊晶( Epitaxy )

Epi- 這個字首是指「在某物之上」

-taxy 這個字尾是指「有秩序的」

因此就是意指在基板上形成的單晶結構

 

由於磊晶技術的實施

或者說上面那一層單晶薄膜的生長條件

其實是相當嚴格的

像是基板必須為單晶晶圓

基板的原子大小必須與在其上生長的單晶相似

因此若以矽晶圓當作基板的話

在其上只能生長與矽元素尺寸相似的其他 4A 族元素
例如矽鍺晶圓( SiGe )

 

以砷化鎵來說

若希望長出的單晶薄膜是砷化鎵的話

顯然地

基板的材料也只能是

與其元素大小相似的3A 族與 5A 族元素

例如磷化銦( InP )

或者直接利用砷化鎵作為基板

也因此

與矽晶圓產業常見的 12 吋晶圓直徑不同

砷化鎵晶圓的物理特性使該產業常見的直徑為 4-6 吋

 

目前主流的磊晶「生長」方式有四種

分別是-

液相磊晶( Liquid Phase Epitaxy, LPE )

氣相磊晶( Vapor-Phase Epitaxy, VPE )

有機金屬化學氣相磊晶( Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD )

分子束磊晶( Molecular Beam Epitaxy, MBE )

 

三五族半導體磊晶的生長

則大多是利用

有機金屬化學氣相磊晶( MOCVD )

及分子束磊晶( MBE )這兩種方式

 

有機金屬化學氣相磊晶

是依靠特定氣體通過金屬反應源起化學作用後

再讓該氣體促使基板上生長出薄膜

而分子束磊晶

則是採用真空蒸餾方式來生成薄膜

 

不論是採取哪種方式

乃著眼於產業上的要求

例如成本考量

同時也牽涉到砷化鎵構成的元件種類

 

目前的砷化鎵元件主要有三種型式

應變式高電子遷移率電晶體( pseudomorphic High Electron Mobility Transistor, pHEMT )

異質介面雙極性電晶體( Heterojunction Bipolar Transistor, HBT )

金屬半導體場效電晶體 ( Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor, MESFET )

 

有機金屬化學氣相磊晶技術( MOCVD )來說

其適合 HBT 及低階 pHEMT

而分子束磊晶技術( MBE )

則用在製造 MESFET 及高階 pHEMT

 

回到製程上

在基板上生長完單晶層薄膜後

便可以得到磊晶片

之後便可以開始根據 IC 設計圖來製造砷化鎵晶圓

最後則是交由封裝及測試廠做收尾

 

砷化鎵產業鏈:台灣廠商分工明確,佔有中上游到下游

隨著通訊產業在過去幾年的大紅大紫

作為手機通訊晶片中射頻模組( 如功率放大器、射頻開關 )的關鍵原料

砷化鎵上、中游的諸多廠商紛紛受惠

 

放眼未來

除了 5G 催生出更多的射頻模組需求外

諸如光電領域的3D感測技術、無人車中的光達系統、發光二極體等

皆需依賴砷化鎵晶圓

也因此

根據法國市場研究公司 Yole Development 的資料

整個砷化鎵產業 2017-2023 預計將有著 15% 的年複合成長率

其前景值得我們期待

 

縱觀整個砷化鎵產業

其中亦不乏一些台灣公司

所以在上表中我們以在台灣上市櫃的公司為主

像是在上游從事底層基板、磊晶片生產的 IET-KY( 4971 )

以及只從事磊晶片製造的聯亞( 3081 )全新( 2455 )

不過這並不意味著這個領域全球就只有這幾家公司

例如以基板來說

AXT、住友電氣( Sumitomo Electric )、FCM 這三家公司

就佔有全球 95% 以上的份額

 

同時也正如前面提到的

砷化鎵產業大多不屬於矽晶圓的範疇

因此在中游裡

其實看不到台積電( 2330 )聯電( 2303 )這兩大廠

而是穩懋( 3105 )宏捷科( 8086 )環宇-KY( 4991 ) 這三家公司構成

其中光穩懋一家就掌握 7 成左右的全球砷化鎵晶圓代工市場

三者則共同佔據了將近 9 成的份額

了解完砷化鎵產業從上游到下游的概況後

接著我們來看一下這領域有那些表現亮眼的股票吧!

 

台灣磊晶片廠商獲利能力比較:IET-KY、聯亞、全新

本文先讓我們著眼於上游

磊晶片領域有三家台灣上市櫃公司 IET-KY、聯亞、全新

從技術上來看

IET-KY 投入在分子束磊晶( MBE )

與英國上市公司 IQE 為全球惟二投入此技術的廠商

聯亞、全新則是投入在有機金屬化學氣相磊晶( MOCVD )

這兩種技術各有自己的利基

 

此外還有另外一家廠商 SCIOCS

為隸屬於住友化學( Sumitomo Chemical )旗下的公司

和前面幾家業者不一樣

其採取的生長技術是有機金屬氣相磊晶( MOVPE )

由於 SCIOCS 並沒有單獨上市

因此本文就先不去考量該公司

 

整體來說這個產業的股票價格波動比大盤大

例如IET-KY、聯亞

各自的股價在年後皆曾有 10% 以上的漲幅

尤其 IET-KY 股價一度暴漲將近 25%

主要因素和本益比評價過低、元月營收年增率暴衝

還有分子束磊晶技術在未來更被看好有關

 

類似地

儘管是在倫敦證交所被交易

IQE 的股價亦在年後上漲了將近 50%

 

營收比較:近年聯亞超過全新成為台灣最大廠商

全新以及聯亞皆為營收突破 20 億元的公司

其中以聯亞成長的幅度最大

2013 年時聯亞營收大約只有 7.5 億

今年卻可能突破 23 億元

6 年成長了超過 200%

 

而全新規模雖大

不過營收上最近幾年漸漸被聯亞追過

IET-KY的營收為三者中最少

2018 年營收很可能會衰退或持平

 

毛利率、基本每股盈餘比較:

而以毛利率來看

一樣是聯亞的 54.1% 為三者最高

這也反映在基本每股盈餘( Basic EPS )上

在營收規模差異不大的情況下

聯亞的基本每股盈餘卻是全新的3倍多

 

 

同時我們也可以看出來

對磊晶片產業來說

2014-2016 這段時間受惠於手機產業

而迎來了業績的一個高峰

不論是營收、基本每股盈餘

大多處在相對的高檔

但在智慧型手機慢慢飽和後

業績也紛紛受影響

開始成長趨緩

甚至是減少

 

營利率比較:台灣廠商競爭力強於外國同業

 

營利率上也可以發現我們前面提到的業績減少現象

IET-KY、聯亞、全新、IQE

這四家磊晶片廠商的營利率皆是在2015年觸頂

此後幾年皆往下滑

 

從營利率的線圖中

我們也可以發現在磊晶片產業

台灣廠商的獲利能力算是相當優異

以 IET-KY 來說

儘管和 IQE 一樣都投入分子束磊晶技術

但營利率長期來都高於 IQE

 

而投入有機金屬化學氣相磊晶( MOCVD ) 的聯亞、全新

則是在現階段享有最優的營利率

不過其中我們需要留意

聯亞近期營利率大幅衰退的現象

雖然這部分與逐年提高的研發費用佔比有關

衰退的毛利率也告訴我們生產成本亦在上升的事實

 

在下一篇文章中我們將繼續關注砷化鎵產業

並比較台灣的這些砷化鎵晶圓代工廠上!

 

讓你帶走的結論

1. 砷化鎵比矽更適合用在光電、通訊領域的一些應用上

2. 砷化鎵產業前景看好,2017-2023 年複合成長率達 15%

3. 台灣上市櫃公司佔有砷化鎵產業中上游到下游的位置

4. 聯亞營收最高、IET-KY 的磊晶技術備受期待

 

免責聲明:

此為產業分析文,並非投資進出建議!

 

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