我的網誌
艾司摩爾(ASML)宣布獲得三星(SSNLF)、台積電(TSM)與英特爾(INTC)的承諾，推動最新的高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)微影設備發展，這將大幅強化次世代AI晶片的發展前景。
3大晶圓代工廠採用時程曝光
根據各家規劃，三星(SSNLF)預計在2028年將High-NA系統投入電腦記憶體的製造。台積電(TSM)則計畫從2030年開始引進這項新技術。與此同時，英特爾(INTC)的晶圓代工部門已經在大量製造的生產線上採用該系統。
升級12吋光罩技術以應付龐大AI需求
為了滿足市場對AI晶片急遽成長的需求，這些半導體巨頭正與艾司摩爾(ASML)密切合作，推動光罩規格從現行的6吋升級至12吋。光罩是半導體製造過程中不可或缺的關鍵零組件，這項技術規格的轉換有望顯著提升生產效率並降低製造成本。
大尺寸光罩有望大幅提升生產吞吐量
艾司摩爾(ASML)技術長Marco Pieters指出，改用較大尺寸的光罩可以將High-NA機器的生產吞吐量提升達40%。他強調這是一個巨大的機會，代表著整個半導體產業在生產力上邁出了重要的一大步。
台積電的參與對艾司摩爾至關重要
根據彭博的統計數據顯示，台積電(TSM)貢獻了艾司摩爾(ASML)約16%的總營收，因此這家台灣晶片製造商決定導入先進製程設備的舉動，對艾司摩爾的後續發展具有指標性意義。台積電總裁魏哲家在聲明中表示，台積電始終深信合作的力量，致力在技術挑戰演變成產業經濟負擔之前將其克服。
台積電的高階製程路線圖與測試時間表
台積電(TSM)預計從2030年起，先以現有的6吋光罩為基礎導入High-NA系統。此外，雙方已設定明確目標，計畫在2031年建置完成12吋光罩的測試產線，為接下來的量產做準備，並期盼這項新技術能在2033年正式投入High-NA設備的商業化生產。
