AI資料中心的功耗成長，正在改變伺服器電源架構的設計邏輯。過去單一機櫃功耗約為10至20kW（千瓦），但新一代AI資料中心已提升至100kW以上，甚至朝向百萬瓦級的混合微電網發展。在如此高功耗環境下，傳統低壓架構容易產生傳輸損耗與發熱問題，因此產業開始朝400V或800V高壓直流架構升級。48V電源架構與液冷散熱方案的導入，也讓系統對電壓控制與突波防護提出更高要求。

在AI機櫃N+N備援架構（指主要使用與備份系統）下，高階金氧半場效電晶體（MOSFET）、碳化矽（SiC）蕭特基二極體、超快恢復二極體（FRED），以及TVS與ESD防護二極體，成為伺服器電源轉換與系統保護的關鍵元件。

AI功耗飆升不停歇 需求浪潮推動元件換代

導入SiC蕭特基二極體與高效能FRED，有助於降低轉換過程中的能源損耗、減輕散熱負擔；AI伺服器中的運算晶片價值高昂，微小突波即可能造成嚴重損壞，TVS與ESD二極體的部署密度也隨之提高。

功率元件不再只是電源轉換零組件，而是影響資料中心穩定度、效率與系統可靠性的基礎關鍵元件。

此波需求成長也帶來明顯的供應鏈壓力。80V中壓MOSFET需求遠高於現有產能，但大型IDM廠（整合元件製造商）對成熟製程擴產態度保守，加上部分8吋晶圓廠面臨罷工問題，使產能持續緊張。

封裝端同樣承受成本壓力，金、銀、銅等貴金屬原物料及物流成本上升，推高整體營運成本。國際IDM大廠已於今（2026）年第2季啟動漲價，台系晶片與元件供應商也自今年7月起陸續向客戶調漲售價，以反映製造與材料成本上升。