美光(MU)近期股價走勢宛如多空交戰的縮影，市場情緒在「超級循環」的願景與短線高檔修正間劇烈拉扯。儘管在台股封關期間，美光股價受惠於 HBM4 提前量產與 AI 強勁需求強彈逾 4%，高層更證實 2026 年 HBM 產能已全數售罄，確立了記憶體產業的賣方市場地位。這背後釋出的信號相當明確：大廠將產能全力轉向高毛利的 HBM 與 DDR5，勢必導致標準型 DRAM 供給出現缺口，讓華邦電、南亞科等台系供應鏈有望承接外溢訂單。然而，隨著費半指數重挫，美光亦面臨沈重賣壓，顯示市場資金對於乖離過大的股價顯得謹慎，獲利了結與避險情緒升溫。投資人此刻不應僅看見產能滿載的利多，更需關注外資在美光股價攻高後，是否對相關供應鏈進行系統性回補，或是隨大盤修正而調節。

美光科技(MU)：個股分析

基本面亮點

作為全球頂尖的半導體 IDM 大廠，美光(MU)早已脫離單純依賴 PC 市場的舊有格局。透過早年收購 Elpida 與 Inotera (華亞科) 擴大 DRAM 版圖，目前公司高度垂直整合，營收主力鎖定資料中心、智慧型手機及車用電子。尤其在 NAND Flash 與 DRAM 雙引擎驅動下，美光正全力向 AI 運算所需的記憶體與儲存晶片轉型，積極搶攻高頻寬記憶體市占。

近期股價變化

根據 2026 年 2 月 26 日最新交易數據，美光(MU)呈現高檔震盪格局。當日開盤價 424.84 美元，盤中一度衝高至 434.00 美元，隨後遭遇賣壓，最低下探 401.96 美元，終場收在 415.56 美元，跌幅達 3.13%。值得留意的是，成交量放大至 3,543 萬股，較前一交易日大增近 30%，顯示多空雙方在 400 美元關卡附近展開激烈攻防。

總結

美光(MU)雖擁 HBM 產能售罄的基本面利多，且確立了記憶體產業向上的趨勢，但短線爆量下殺顯示籌碼面正進行換手。後續觀察重點在於股價能否迅速站穩關鍵均線，以及溢出效應是否持續帶動二線記憶體供應鏈的補漲行情，投資人應審慎評估波動風險。

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