全球半導體設備龍頭ASML(ASML)的研究人員宣佈在極紫外光（EUV）技術上取得重大突破，透過提升關鍵設備的光源功率，預計在2030年前能將晶片產量提高50%。ASML(ASML)作為全球唯一能生產商用EUV曝光機的製造商，此技術進展對於台積電(TSM)、Intel(INTC)等主要客戶至關重要，不僅能協助客戶提升先進製程產能，更有助於ASML(ASML)在面對美國及中國新興競爭對手時，持續保持其在半導體產業的領先優勢。

光源功率提升至1000瓦大幅降低製造成本

這項技術的核心在於將EUV光源的功率從目前的600瓦提升至1000瓦，且經證實能在客戶端的實際生產環境中穩定運作。ASML(ASML)的EUV光源首席技術專家普維斯（Michael Purvis）在加州聖地牙哥的工廠受訪時強調，這並非短暫的實驗室展示，而是具備商業化潛力的系統。功率提升最主要的優勢在於能縮短曝光時間，進而提高每小時的晶片產出量，這將直接降低每顆晶片的生產成本，對於追求成本效益的半導體製造商而言是一大福音。

2030年每小時晶圓處理量預計提升至330片

隨著光源功率的增強，ASML(ASML)預計在十年內將單台設備的晶圓處理量大幅提升。負責NXE系列EUV機台的執行副總裁梵谷（Teun van Gogh）指出，目前每台機器每小時約可處理220片矽晶圓，預計到2030年將增加至330片。晶片的製造過程類似於照片沖印，EUV光束照射在塗有光阻劑的矽晶圓上，更強的光源意味著工廠能以更短的時間完成曝光程序，確保客戶能以更低的成本持續使用EUV技術進行量產。

雙重雷射脈衝技術每秒擊中錫滴達十萬次

為了達成功率倍增的目標，ASML(ASML)對其本就極其複雜的設備進行了關鍵改良。目前的技術是利用二氧化碳雷射轟擊熔融的錫滴產生電漿，進而發射出波長13.5奈米的EUV光。新的突破在於將每秒擊中的錫滴數量增加一倍，達到約10萬次，並改用兩道較小的雷射脈衝來塑形電漿，而非現行的一道脈衝。科羅拉多州立大學教授羅卡（Jorge J. Rocca）表示，要掌握這項技術極具挑戰性，能達到1000瓦的功率成就是相當驚人的進展。

技術護城河阻擋美中新創對手挑戰

EUV曝光機對晶片生產至關重要，這也使其成為地緣政治角力下的焦點。美國與荷蘭政府聯手限制設備出口至中國，促使中國傾舉國之力研發自有設備。同時，美國也有如Substrate和xLight等新創公司投入數億美元開發競爭技術，其中xLight更獲得川普政府的資金支持。ASML(ASML)此次選在週一公開這項新技術，意在展示其在EUV光源生成這一最具挑戰性的技術領域上，已將潛在競爭對手遠遠拋在後頭。

未來技術路徑清晰功率有望上看2000瓦

ASML(ASML)對於未來的技術發展藍圖充滿信心，認為此次達成1000瓦功率所使用的技術架構，將能解鎖未來的持續進步。普維斯表示，目前已看到邁向1500瓦功率的清晰路徑，且從基礎物理層面來看，未來進一步提升至2000瓦並無不可跨越的障礙。這意味著ASML(ASML)在未來數年內，仍將掌握推動摩爾定律延續的關鍵鑰匙。

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