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三星電子已正式宣佈開始量產HBM4高頻寬記憶體，並已將商業化產品出貨給客戶，此舉標誌著該公司在先進記憶體市場取得了領先地位。三星採用第六代10奈米級DRAM製程（即1c製程），在量產初期便已達到穩定的良率，無需進行額外的重新設計，展現了其在先進製程上的技術成熟度與穩定性。
HBM4傳輸速度達11.7Gbps並顯著提升頻寬
根據三星電子公佈的數據，HBM4的處理速度達到每秒11.7Gbps（吉比特），遠高於每秒8Gbps的業界標準。與前一代HBM3E的最高接腳速度9.6Gbps相比，提升了1.22倍，且設計上最高可達13Gbps，能有效減少隨著人工智慧模型擴大而產生的數據傳輸瓶頸。此外，HBM4每個堆疊的總記憶體頻寬較HBM3E增加了2.7倍，最高可達每秒3.3TB。
採用先進堆疊技術優化散熱與能耗表現
在容量規格方面，三星將透過12層堆疊技術提供24GB至36GB的容量，並計劃配合客戶時程，利用16層堆疊技術提供高達48GB的產品。為了應對因數據輸入/輸出（I/O）接腳數從1,024個倍增至2,048個所帶來的功耗與散熱挑戰，三星在核心晶粒中整合了低功耗設計。透過低電壓矽穿孔（TSV）技術與電源分配網路的優化，HBM4的能源效率提升了40%。與HBM3E相比，熱阻改善了10%，散熱能力則提升了30%。
整合晶圓代工與封裝優勢強化供應鏈韌性
三星電子將HBM4的效能、能效與可靠性，歸功於其能提升資料中心GPU的吞吐量並改善總體擁有成本。在生產製造方面，三星強調利用包括DRAM產能與專用基礎設施在內的製造資源，作為應對HBM4需求高漲時供應鏈韌性的基礎。公司同時指出，晶圓代工與記憶體業務之間的設計技術協同優化（DTCO），是支撐品質與良率的關鍵，而內部的先進封裝能力則有助於縮短生產週期與交貨時間。
跳脫傳統路徑採用最先進製程節點
三星電子執行副總裁兼記憶體開發負責人Sang Joon Hwang表示：「三星沒有選擇利用現有成熟設計的傳統路徑，而是大膽跨越，在HBM4上採用了1c DRAM和4奈米邏輯製程等最先進的節點。」他強調，透過利用製程競爭力與設計優化，三星能夠確保巨大的效能提升空間，以滿足客戶在需要時對更高性能日益增長的需求。
展望2026年HBM銷售額預期將翻三倍
三星計劃在與全球GPU製造商及致力於下一代特殊應用積體電路(ASIC)開發的超大規模雲端服務商討論後，擴大與關鍵夥伴的技術合作。展望未來，三星預期2026年的HBM銷售額將比2025年成長三倍以上，並正在擴大HBM4的產能。隨著HBM4推向市場，公司預計HBM4E將於2026年下半年開始送樣，並於2027年根據客戶個別規格提供客製化HBM樣品。
記憶體業務強勁帶動季度營收與獲利成長
此次HBM4的進展是在三星公佈2025年第四季及全年度財報後發布。截至2025年12月31日的第四季度，公司合併營收達93.8兆韓元（約649億美元），較前一季成長9%，營業利潤為20.1兆韓元。其中，裝置解決方案部門銷售額較前一季成長33%，記憶體業務在HBM與其他產品銷量擴大及市場價格上漲的帶動下，創下季度營收與營業利潤的新高紀錄。
持續鎖定AI需求擴大高階產品銷售
儘管供應有限，三星指出其記憶體業務在2025年第四季仍滿足了強勁的傳統DRAM需求，同時在價格上漲的環境下擴大了HBM的銷售。展望2026年，三星表示記憶體業務將維持緊密的客戶夥伴關係，目標是透過HBM4的出貨以及擴大DDR5、GDDR7等AI相關產品的銷售來滿足市場需求。此外，公司也計劃透過擴大針對推論需求的高效能TLC產品銷售，來鎖定AI相關的NAND需求。
