Navitas Semiconductor(NVTS)的股價在週二盤前交易中大漲近26%，此前一天已經上漲了21.1%。這家半導體公司於週一宣布，在中高壓800 VDC氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）電源裝置的開發上取得了重大進展。這項技術旨在支持輝達(NVDA)最新推出的800 VDC電源架構，專為其下一代AI工廠計算平台而設計。

新技術提升效能與密度

Navitas的新產品包括100 V GaN FET系列，以及650 V GaN和高壓SiC裝置，這些都專門為輝達(NVDA)的800 VDC AI工廠架構而打造，提供突破性的效率、電源密度和性能。這些技術的進步不僅增強了Navitas在市場上的競爭力，也為未來數據中心的建設提供了更高的效能標準。

支持AI基礎設施轉型

Navitas的總裁兼CEO Chris Allexandre表示：「隨著輝達(NVDA)在AI基礎設施上的轉型，我們很自豪能夠以先進的GaN與SiC電源解決方案支持這一轉變，這些解決方案能夠滿足下一代數據中心所需的效率、擴展性和可靠性。」這一技術的應用將有助於提升AI運算的效率，並推動整個行業的發展。

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