老盧看三星..的秋天

kampaign · 2025-06-29T03:26:53Z

最近三星因為[經營不善]，停了很多業務，最為人知的就是DDR4和MLC NAND。早在去年7/31，盧博士接受媒體專訪時(當天旺宏因為明尼蘇達研究提到PCM漲停，8/1來到高點31)，指出三星的致命短板。話題起因於三星沒有通過輝達的HBM認證這件事，當時俺還笑過三星，因為輝達是拿海力士的HBM當規範認證三星的。上個月又有一件[中文大考驗]，三星HBM3E(12層)通過輝達[單品晶片]認證，可是[最終產品]認證，6/12有媒體報導"第三次認證失敗"準備9月份的第四次。可是3/20才有宣傳[三星正在加速生產最新一代的HBM3E 記憶體，品牌名稱為“Shinebolt”]??原來今年量產的3E，[只是]沒有通過輝達AI認證，所以5月份才有[Google 等客戶將 HBM3E 訂單從三星移出改用美光產品]傳聞。專訪中，盧博士很清楚地指出，AI的運算是[大量、簡單重複]的計算特性，所以很適合GPU來發展，才需要[高頻寬模組/HBM/他認為M用模組取代較貼切]來進行[記憶體內的運算/CIM]。CPU要進行複雜的工作，反而不需要HBM，這是三星一直不重視HBM的原因。三星有至今都領先的DRAM顆粒，卻在[顆粒的堆疊技術]上，輸給了鴨子划水的海力士/老二，特別強調一個講過的"新"聞，海力士已經和台積電簽約委託HBM製造(因為堆疊所需TSV技術，台積電最強)。HBM很貴來自於良率很低，3E堆12層，TSV不靠譜，整組壞光光，這模組毛利就卡在2.5D封裝技術。回到主題講旺宏，上面提到輝達AI運算的CIM記憶體是採用HBM(為了克服揮發的缺點再設計加BBU)，如果採用[存算一體]作為CIM的記憶體，少了[搬運數據]和[維持數據]的耗電，就不需要處理耗電產生的高熱影響數據的正確/穩定性。數據傳輸快很重要，但是正確更重要。目前存算一體的要求，NOR[存得慢]、NAND[算得慢]，PCM[嘟嘟好]，有機會挑戰HBM取得一席之地。不過旺宏在存算一體的產品上，先推以Flash為base的FortiX，對於PCM擺在研發階段，應該也是成本和市場接受度的考量。訪問中有指出CEO如果缺少了CTO的因子，就會疏於前瞻技術的掌握，失去新興市場的商機。記憶體(模組)百百款，市場主要能接受(便宜??)的也只有2種：DRAM和Flash，否則誰要去TSV和3D拉高製造成本，顆粒越簡單賣越賺錢XD 做記憶體的，老是嗶嗶傳輸協定(CXL)或是封裝技術(Chiplet/CUBE/TSV/CoWoS)，多奇怪。人家台積電是個代工廠，掌握這些技術可以面對不同的客戶，但是主要還是微縮製程為主，CoWoS的客戶也只是蘋果和輝達的[解決方案]。做記憶體的，能靠這吃飯嗎???還是乖乖DDR3/4/5/6地做(DRAM)，32/48/96/192/322L及SLC/MLC/TLC/QLC/PLC地堆疊(Flash)。其他的交給老黃、小蘇、老任(任正非/任天堂都可)去傷腦筋吧。扁擔認命地扛唄，彩票...等老天爺賞臉吧結論：這專訪精彩，天下雜誌在油管[聽天下Podcast]，標題：三星為什麼這麼慘，關鍵在HBM？...Flash加減做，頭彩...

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