6488 環球晶 - 一○九年度研究發展成果: 技術或產品名稱 (1) 6 吋碳化...

atonkuo815 · 2021-05-28T01:55:01Z

一○九年度研究發展成果: 技術或產品名稱 (1) 6 吋碳化矽 170um 超薄晶圓再生加工技術 (2) 4 吋半絕緣碳化矽晶體與晶片 (3) 氮化鎵磊晶背面阻障層結構與製程優化技術 (4) 智慧晶片品質量測影像判定技術 (5) 次世代製程用矽晶圓 (6) 人工智慧應用於無高差形貌矽晶圓 (7) 人工智慧應用於晶棒氧含量調整 (8) 新拋光技術導入 (9) 新研磨技術導入 (10)微小落塵控制技術應用於 300mm 高端晶圓 (11)200mm 超低電阻重摻紅磷晶圓與磊晶技術 (12)先進人工智能技術應用於改善量產的人工效率和生產力 (13)降低重金屬污染檢出極限的新評價技術未來研究發展計劃: A. 300mm 超重摻銻電阻<18 mΩ-cm 晶圓 B. 次世代高功率車用電子元件用碳化矽晶圓 C. GaN_HEMT 用磊晶晶圓 D. 高強度超薄奈米化半導體矽晶圓 E. 次世代 RF 元件用 SOI 晶圓 F. 300mm 鑽石線切割製程開發 G. 次世代 3D 記憶體用矽晶圓 H. 功率元件、儲存元件和影像感測器用之 12“低碳低氧 MCZ 晶圓 12” I. 6 吋半絕緣碳化矽晶體與晶片 J. 8 吋氮化鎵/矽常開型功率應用磊晶片 K. 4 吋/6 吋氮化鎵/半絕緣碳化矽射頻應用磊晶片